產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
晶體管類(lèi)型 ： P溝道MOSFET
*大功耗PD ： 1.25W
柵極門(mén)限電壓VGS ： 2.5V（典型值）
漏源電壓VDS ：－20V（極限值）
漏極電流ID：TA=25°時(shí)：-2.3A，TA=70°時(shí)：-1.5A
通態(tài)電阻RDS(on）：0.145ohm（典型值）
柵極漏電流IGSS：±100nA
結(jié)溫：55℃to+150℃
封裝：SOT-23(TO-236)
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